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BLF645,112
Transistor FET RF, 32 V, 900 mA, 100 W, 1300 MHz, 1400 MHz, SOT-540A
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF645,112
No. Parte Newark70R2867
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds32V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd100W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1300MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1400MHz
Diseño de TransistorSOT-540A
Núm. de Contactos4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-540A
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
32V
Disipación de Potencia
100W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1300MHz
Diseño de Transistor
SOT-540A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-540A
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Disipación de Potencia Pd
100W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1400MHz
Núm. de Contactos
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto