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MRFX1K80GNR5
RF FET TRANSISTOR, 179V, OM-1230G
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFX1K80GNR5
No. Parte Newark85AC2009
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds179V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia3.333kW
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.400MHz
Diseño de TransistorOM-1230G
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
179V
Disipación de Potencia
3.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
OM-1230G
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
400MHz
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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