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MW6S004NT1
Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $10.280 |
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMW6S004NT1
No. Parte Newark81K3648
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds68V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.2GHz
Diseño de TransistorPLD-1.5
Núm. de Contactos4Pines
Encapsulado de Transistor RFPLD-1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
68V
Disipación de Potencia
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1MHz
Diseño de Transistor
PLD-1.5
Encapsulado de Transistor RF
PLD-1.5
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
2GHz
Núm. de Contactos
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MW6S004NT1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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