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2SA2016-TD-E
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V, SOT-89-3
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SA2016-TD-E
No. Parte Newark99AC6845
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor50V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua7A
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia3.5W
Diseño de TransistorSOT-89
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición290MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
3.5W
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
7A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-89
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
290MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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