Imprimir página
FCD2250N80Z
MOSFET, N-CH, 800V, 2.6A, 150DEG C, 39W ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCD2250N80Z
No. Parte Newark54AH8608
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.320 |
| 10+ | $1.720 |
| 25+ | $1.630 |
| 50+ | $1.520 |
| 100+ | $1.410 |
| 250+ | $1.340 |
| 500+ | $1.260 |
| 1000+ | $1.240 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.32
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCD2250N80Z
No. Parte Newark54AH8608
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id2.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.87ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia39W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET II
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
39W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET II
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.87ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto