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FCH041N65EF-F155
MOSFET, N-CH, 650V, 76A, TO-247-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH041N65EF-F155
No. Parte Newark84Y5810
Rango de ProductoSuperFET II FRFET
Hoja de datos técnicos
424 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.050 |
| 10+ | $14.890 |
| 25+ | $14.220 |
| 50+ | $13.550 |
| 100+ | $12.880 |
| 250+ | $12.200 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH041N65EF-F155
No. Parte Newark84Y5810
Rango de ProductoSuperFET II FRFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id76A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia595W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET II FRFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET II FRFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
76A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
595W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
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