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FCH067N65S3-F155
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 44A, TO-247-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH067N65S3-F155
No. Parte Newark95Y0159
Rango de ProductoSuperFET III
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.880 |
| 10+ | $7.580 |
| 25+ | $7.270 |
| 50+ | $6.970 |
| 100+ | $6.520 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH067N65S3-F155
No. Parte Newark95Y0159
Rango de ProductoSuperFET III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id44A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.059ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia312W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
44A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.059ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
312W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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