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FCPF099N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, 150DEG C, 43W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCPF099N65S3
No. Parte Newark54AH6229
Rango de ProductoSuperFET III
Hoja de datos técnicos
2,827 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.170 |
| 10+ | $6.300 |
| 25+ | $5.420 |
| 50+ | $4.640 |
| 100+ | $4.460 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCPF099N65S3
No. Parte Newark54AH6229
Rango de ProductoSuperFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.085ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.085ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FCPF099N65S3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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