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FDC6318P
MOSFET Transistor, Dual P Channel, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV RoHS Compliant: Yes
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| 50+ | $0.569 |
| 100+ | $0.509 |
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| 1000+ | $0.358 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6318P
No. Parte Newark47T5017
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P960mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.09ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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