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FDH45N50F-F133
MOSFET, N-CH, 500V, 45A, 150DEG C, 625W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDH45N50F-F133
No. Parte Newark54AH8632
Rango de ProductoUniFET FRFET
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.810 |
| 10+ | $5.510 |
| 25+ | $5.470 |
| 50+ | $5.430 |
| 100+ | $5.370 |
| 250+ | $5.330 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDH45N50F-F133
No. Parte Newark54AH8632
Rango de ProductoUniFET FRFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id45A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia625W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoUniFET FRFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
UniFET FRFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto