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FDMS5672
MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.100 |
| 10+ | $2.850 |
| 25+ | $2.700 |
| 50+ | $2.550 |
| 100+ | $2.400 |
| 250+ | $2.320 |
| 500+ | $2.250 |
| 1000+ | $2.120 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS5672
No. Parte Newark61M6271
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id10.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9400µohm
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDMS5672
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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