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FDMS7650
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.620 |
| 10+ | $2.270 |
| 25+ | $2.040 |
| 50+ | $1.830 |
| 100+ | $1.600 |
| 250+ | $1.530 |
| 500+ | $1.450 |
| 1000+ | $1.390 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS7650
No. Parte Newark55T6323
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente990µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia104W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
990µohm
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDMS7650
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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