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FDP045N10A-F102
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 263W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP045N10A-F102
No. Parte Newark54AH8665
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
3,915 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.510 |
| 10+ | $3.330 |
| 25+ | $3.290 |
| 50+ | $3.250 |
| 100+ | $3.200 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP045N10A-F102
No. Parte Newark54AH8665
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia263W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
263W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto