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FDP075N15A-F102
MOSFET, N-CH, 150V, 130A, 175DEG C, 333W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP075N15A-F102
No. Parte Newark54AH6248
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
796 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.170 |
| 10+ | $6.310 |
| 25+ | $5.460 |
| 50+ | $4.600 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP075N15A-F102
No. Parte Newark54AH6248
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00625ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia333W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00625ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
333W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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