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FDS6910
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 7.5 A, 0.013 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6910
No. Parte Newark97J6790
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id7.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.013ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
El FDS6910 es un MOSFET de nivel lógico de doble canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench™. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior. El FDS6898A es un MOSFET optimizado PWM de nivel de canal N dual producido utilizando el proceso avanzado PowerTrench®.
- Alta velocidad de conmutación
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 7.5A
- Corriente de drenaje pulsada 20A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.013ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto