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MJD127G
DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD127G
No. Parte Newark38K5596
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd1.75W
Frecuencia de Transición0
Corriente del Colector Continua0
Corriente de Colector DC8A
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
8A
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
1.75W
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD127G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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