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MJD127T4G
TRANSISTOR, PNP, -100V, -8A, TO-252-3
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.260 |
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| 25+ | $0.828 |
| 50+ | $0.745 |
| 100+ | $0.662 |
| 250+ | $0.612 |
| 500+ | $0.561 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD127T4G
No. Parte Newark90W4488
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd20W
Corriente de Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC8A
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Núm. de Contactos3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE12hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
20W
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
8A
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
12hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD127T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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