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MMBFJ175LT1G
TRANSISTOR, JFET, P, 30V, SOT-23
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| 50+ | $0.251 |
| 100+ | $0.211 |
| 250+ | $0.204 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ175LT1G
No. Parte Newark58M9119
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero60mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta6V
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalP Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
60mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
6V
No. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
P Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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