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MMBTA06LT3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTA06LT3G
No. Parte Newark42K1333
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente del Colector Continua500mA
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225mW
Corriente de Colector DC500mA
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Disipación de Potencia Pd
225mW
Corriente de Colector DC
500mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
500mA
Disipación de Potencia
225mW
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBTA06LT3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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