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NSS12200LT1G
TRANSISTOR, PNP, -12V, -2A, SOT-23
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS12200LT1G
No. Parte Newark31AC0987
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor12V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua2A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia460mW
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12V
Corriente del Colector Continua
2A
Disipación de Potencia
460mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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