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NSS40301MDR2G
BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 40V, 3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS40301MDR2G
No. Parte Newark54AH9468
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor40V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua3A
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN653mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD180hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN100MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
40V
Corriente NPN de Colector Continua
3A
Disipación de Potencia NPN
653mW
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
180hFE
Diseño de Transistor
SOIC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
100MHz
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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