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NTD600N80S3Z
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD600N80S3Z
No. Parte Newark50AJ5887
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
1,467 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.310 |
| 10+ | $2.580 |
| 25+ | $2.410 |
| 50+ | $2.240 |
| 100+ | $2.070 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD600N80S3Z
No. Parte Newark50AJ5887
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia60W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
60W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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