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NTF3055L108T1G
MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 60 V, 120 mohm, 5 V, 1.68 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF3055L108T1G
No. Parte Newark58M9898
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.68V
Disipación de Potencia2.1W
Núm. de Contactos4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.68V
Núm. de Contactos
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTF3055L108T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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