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NTH4LN095N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-247 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4LN095N65S3H
No. Parte Newark32AJ8443
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
393 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.260 |
| 10+ | $11.240 |
| 25+ | $10.230 |
| 50+ | $9.210 |
| 100+ | $8.690 |
| 250+ | $8.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.26
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4LN095N65S3H
No. Parte Newark32AJ8443
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia208W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
208W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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