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NTMYS2D4N04CTWG
SINGLE MOSFET TRANSISTORS ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.050 |
| 10+ | $1.430 |
| 25+ | $1.350 |
| 50+ | $1.250 |
| 100+ | $1.160 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $1.040 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMYS2D4N04CTWG
No. Parte Newark39AH9066
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id138A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0023ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia83W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
138A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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