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NVD5C684NLT4G
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, TO-252
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.250 |
| 10+ | $1.480 |
| 25+ | $1.360 |
| 50+ | $1.240 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.020 |
| 500+ | $0.919 |
| 1000+ | $0.896 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5C684NLT4G
No. Parte Newark18AC0082
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id38A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0165ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia27W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0165ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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