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NVMFD5C650NLWFT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.870 |
| 10+ | $4.090 |
| 25+ | $3.730 |
| 50+ | $3.370 |
| 100+ | $3.010 |
| 250+ | $2.980 |
| 500+ | $2.950 |
| 1000+ | $2.860 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C650NLWFT1G
No. Parte Newark48AC1749
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N111A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P111A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0042ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N125W
Disipación de Potencia de Canal P125W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
111A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
125W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
111A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0042ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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