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NVMFS5C638NLT1G
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, DFN
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.740 |
| 10+ | $2.610 |
| 25+ | $2.390 |
| 50+ | $2.170 |
| 100+ | $1.950 |
| 250+ | $1.830 |
| 500+ | $1.710 |
| 1000+ | $1.600 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C638NLT1G
No. Parte Newark62AC7378
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id133A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia100W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
133A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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