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NVMYS5D3N04CTWG
SINGLE MOSFET TRANSISTORS ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.190 |
| 10+ | $0.962 |
| 25+ | $0.868 |
| 50+ | $0.775 |
| 100+ | $0.681 |
| 250+ | $0.619 |
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| 1000+ | $0.515 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMYS5D3N04CTWG
No. Parte Newark39AH9082
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id71A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0053ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia50W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
71A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0053ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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