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TF412ST5G
JFET Transistor, JFET, -30 V, 1.2 mA, 3 mA, -1.5 V, SOT-883 RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 50+ | $0.253 |
| 100+ | $0.214 |
| 250+ | $0.188 |
| 500+ | $0.162 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTF412ST5G
No. Parte Newark51Y5147
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-30V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero3mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.5V
Diseño de TransistorSOT-883
Núm. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.5V
Núm. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
3mA
Diseño de Transistor
SOT-883
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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