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TIP102G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 2 W, 8 A, 20 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP102G
No. Parte Newark38K8288
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd80W
Corriente de Colector DC8A
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-220
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
8A
Encapsulado de Transistor RF
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia Pd
80W
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza TIP102G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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