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2N3906TF
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N3906TF
No. Parte Newark05R0382
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua200
Corriente de Colector DC200mA
Disipación de Potencia Pd625mW
Disipación de Potencia625
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición250
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
TRANSISTOR PNP -40V TO-92
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente de Colector DC
200mA
Disipación de Potencia
625
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente del Colector Continua
200
Disipación de Potencia Pd
625mW
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Frecuencia de Transición
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N3906TF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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