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2N3906TFR
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N3906TFR
No. Parte Newark05R0383
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor40V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Corriente de Colector DC200mA
Corriente de Colector Continua200mA
Disipación de Potencia625mW
Disipación de Potencia Pd625mW
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición250MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente de Colector Continua
200mA
Disipación de Potencia Pd
625mW
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40V
Corriente de Colector DC
200mA
Disipación de Potencia
625mW
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
Frecuencia de Transición
250MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N3906TFR
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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