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2N5190G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5190G
No. Parte Newark42K3135
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5190G
No. Parte Newark42K3135
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia40
Disipación de Potencia Pd40W
Corriente de Colector DC4A
Ganancia de Corriente DC hFE2hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-225
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Disipación de Potencia
40
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
40W
Ganancia de Corriente DC hFE
2hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie 2NXXXX
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
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