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2N5686G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 50 A, 300 mW, TO-204
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5686G
No. Parte Newark26K5299
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5686G
No. Parte Newark26K5299
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua50
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300
Corriente de Colector DC50A
Ganancia de Corriente DC hFE2hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorTO-204
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.2
Temperatura de Trabajo Máx.200
Calificación-
Rango de ProductoSerie 2NXXXX
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJ11032G es un transistor de potencia Darlington NPN para usar como dispositivos de salida en aplicaciones de amplificador de propósito complementarios generales.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
50A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-204
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
50
Disipación de Potencia
300
Ganancia de Corriente DC hFE
2hFE
No. de Pines
2Pines
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Rango de Producto
Serie 2NXXXX
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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