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2N7002
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002
No. Parte Newark43K0288
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd200mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza 2N7002
3 productos encontrados
Resumen del producto
El 2N7002 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que se produce utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Minimiza la resistencia en el estado al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación resistente, confiable y rápido. Se pueden utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA CD y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños y los controladores de compuerta MOSFET de potencia.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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