Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
7,565 En Stock
9,200 Puede reservar stock ahora
3808 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
3757 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.230 |
50+ | $0.154 |
100+ | $0.083 |
250+ | $0.076 |
500+ | $0.068 |
1000+ | $0.058 |
2500+ | $0.047 |
6000+ | $0.035 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.23
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002LT1G
No. Parte Newark39K1536
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Resistencia de Activación Rds(on)7.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd200mW
Disipación de Potencia200mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.
- Halogen-free/BFR-free
- ±20VDC sate to source voltage
- 60VDC Drain to gate voltage
- 417°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
200mW
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza 2N7002LT1G
8 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto