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2N7002LT3G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002LT3G
No. Parte Newark98H1012
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)7.5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El 2N7002LT3G es un MOSFET de señal pequeña de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 60 V y una corriente de drenaje continuo de ± 115 mA.
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Resistencia de Activación Rds(on)
7.5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002LT3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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