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2N7002W
MOSFET de Potencia, Canal N, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002W
No. Parte Newark31Y5854
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds78
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia de Activación Rds(on)2.53ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente13.5ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.76
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza 2N7002W
3 productos encontrados
Resumen del producto
The 2N7002W is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
78
Resistencia de Activación Rds(on)
2.53ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.76
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
13.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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