Imprimir página
2N7002WT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
44,768 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.019 |
| 50+ | $0.019 |
| 100+ | $0.019 |
| 250+ | $0.019 |
| 500+ | $0.019 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.02
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002WT1G
No. Parte Newark09R9865
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id340mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.6ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorSC-70
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza 2N7002WT1G
3 productos encontrados
Resumen del producto
El 2N7002WT1G es un MOSFET de potencia de señal pequeña de canal N ideal para aplicaciones de baja potencia. Ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 60V y una corriente de drenaje continua de 310mA. Es adecuado para el interruptor de carga lateral baja, los circuitos de cambio de nivel, el convertidor de CD a CD, las aplicaciones DSC y PDA.
- Bajo RDS (ENCENDIDO)
- Paquete de montaje en superficie de tamaño reducido
- Libre de halógenos
- Protegido contra ESD
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
340mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.6ohm
Disipación de Potencia Pd
330mW
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto