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2SC5658M3T5G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 150 mA, 260 mW, SOT-723, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Mínimo: 16000
Múltiple: 8000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SC5658M3T5G
No. Parte Newark42AC1861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua150
Disipación de Potencia Pd260mW
Disipación de Potencia260
Corriente de Colector DC150mA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE120hFE
Diseño de TransistorSOT-723
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición180
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.120
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia Pd
260mW
Corriente de Colector DC
150mA
Ganancia de Corriente DC hFE
120hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
120
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
150
Disipación de Potencia
260
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-723
Frecuencia de Transición
180
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
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