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BC556BTF
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Agujero Pasante
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| 50+ | $0.147 |
| 100+ | $0.124 |
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| 500+ | $0.096 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC556BTF
No. Parte Newark31Y0491
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor65
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo65V
Corriente de Colector DC100mA
Corriente de Colector Continua100
Disipación de Potencia Pd500mW
Disipación de Potencia500
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The BC556BTF is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- High voltage VCEO
- Complement to BC546
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
65V
Corriente de Colector Continua
100
Disipación de Potencia
500
Montaje de Transistor
Through Hole
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
65
Corriente de Colector DC
100mA
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Frecuencia de Transición
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BC556BTF
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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