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BC636
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 45 V, 1 A, 1 W, TO-92, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC636
No. Parte Newark58K0105
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo45V
Voltaje Máx. Colector a Emisor45
Corriente de Colector DC1A
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia Pd1W
Disipación de Potencia1
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
45
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia
1
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
45V
Corriente de Colector DC
1A
Disipación de Potencia Pd
1W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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