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BC856BDW1T1G.
Arreglo de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 100 mA
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC856BDW1T1G.
No. Parte Newark25AC6319
Rango de ProductoBC856BDW1T1G Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC856BDW1T1G.
No. Parte Newark25AC6319
Rango de ProductoBC856BDW1T1G Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-65
Corriente NPN de Colector Continua-
Corriente PNP de Colector Continua100
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP380
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD420
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP100
Rango de ProductoBC856BDW1T1G Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-65
Corriente PNP de Colector Continua
100
Disipación de Potencia PNP
380
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
-
Diseño de Transistor
SOT-363
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
100
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente NPN de Colector Continua
-
Disipación de Potencia NPN
-
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
420
No. de Pines
6Pines
Frecuencia de Transición NPN
-
Rango de Producto
BC856BDW1T1G Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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