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BC858CLT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC858CLT1G
No. Parte Newark72T0933
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor30
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia225
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.420
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
420
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
225
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BC858CLT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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