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BCP56-16T3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBCP56-16T3G
No. Parte Newark81Y5855
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia1.5
Disipación de Potencia Pd1.5W
Corriente de Colector DC1A
Diseño de TransistorSOT-223
Ganancia de Corriente DC hFE25hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición130
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza BCP56-16T3G
5 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
1.5
Corriente de Colector DC
1A
Ganancia de Corriente DC hFE
25hFE
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Diseño de Transistor
SOT-223
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
130
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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