BS170-D26Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.476 |
| 10+ | $0.382 |
| 25+ | $0.325 |
| 50+ | $0.269 |
Información del producto
Resumen del producto
El BS170_D26Z es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de 60V producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este dispositivo ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido mientras proporciona un rendimiento de conmutación resistente, confiable y rápido. Esto se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500 mA CD. Es particularmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como control de servomotor pequeño, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje de compuerta a drenaje (VDGR) 60V
- Voltaje de fuente de compuerta continua (VGSS) de ±20V
- Resistencia térmica 150°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Canal N
60V
1.2ohm
TO-92
830mW
2.1V
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
500mA
1.2ohm
Through Hole
10V
830mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BS170-D26Z
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Legislación y medioambiente
RoHS
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Certificado de conformidad del producto