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BS170
MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.243 |
| 100+ | $0.144 |
| 500+ | $0.134 |
| 1000+ | $0.120 |
| 2500+ | $0.118 |
| 10000+ | $0.115 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBS170
No. Parte Newark25M7820
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia830mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BS170
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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