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BSS84
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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22,011 En Stock
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84
No. Parte Newark58K8770
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id130mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia360mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El BSS84 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal P en paquete SOT-23. Este producto está diseñado para minimizar la resistencia del estado mientras proporciona un rendimiento de conmutación rápido, confiable y resistente, por lo tanto, BSS84 es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, baja corriente y conmutación.
- Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por voltaje
- Diseño de celda de alta densidad para baja Rds (encendido)
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -50V
- Voltaje de fuente de puerta de ± 20V
- Baja resistencia al estado de 3.5ohm a Vgs de 10V
- Corriente continua de drenaje de -130mA
- Potencia de disipación máxima de 360mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS84
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto