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BU406G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220-3
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBU406G
No. Parte Newark82Y6214
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor200V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua7A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia60W
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición10MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
200V
Corriente del Colector Continua
7A
Disipación de Potencia
60W
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
10MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BU406G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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